磁阻 (GMR) 传感器技术
对于给定的解决方案（磁体较小、气隙较大等），GMR 能够改善信噪比、提高分辨率或降低所需的场强。 此外，晶圆或 IC 表面的平面内感应功能可用于创建新的、更强大的差分磁性解决方案，这是平面直通霍尔感应技术无法实现的。
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Allegro 在霍尔效应传感器 IC 领域开拓了多项重大进步，包括斩波器稳定、垂直霍尔效应技术、圆形垂直霍尔 (CVH) 阵列和非侵入式高速硬件诊断。 我们还是少数将 GMR 技术直接集成在半导体晶圆上以提高可靠性并简化设计的 IC 制造商之一。
我们全新的尖端隧道磁阻 (TMR) 效应技术与公司的垂直霍尔技术 (VHT) 相结合，给设计人员带来了卓越的异构冗余传感器解决方案，进而为汽车和机器人行业的高端自动化提供了出色的精度。
对于给定的解决方案（磁体较小、气隙较大等），GMR 能够改善信噪比、提高分辨率或降低所需的场强。 此外，晶圆或 IC 表面的平面内感应功能可用于创建新的、更强大的差分磁性解决方案，这是平面直通霍尔感应技术无法实现的。
专为高级驾驶辅助系统 (ADAS) 应用设计的创新 TMR 技术可提供更高的分辨率和精度，灵敏度比 GMR 同类产品高出八倍。 与传统的霍尔效应传感器相比，分辨率的提高更加显著。
Allegro 突破性的基于 TMR 的解决方案是与市场上的优秀客户密切合作开发的成果，正在重新定义未来安全要求极高的系统和自动驾驶车辆所需的传感技术。</p">
磁场对通过导体的电流产生的效应（即“霍尔效应”）于 1879 年首次被发现。如今，Allegro 利用这一基本物理特性以及现代半导体技术来开发速度传感器、位置传感器、线性传感器、角度传感器和电流传感器。 我们的霍尔效应传感器集成电路 (IC) 将霍尔元件与其他电路（如运算放大器和比较器）集成在一起，从而实现数字位置传感器和速度传感器，以及具有模拟输出的线性传感器和角度传感器。